近日，据外媒报道，长鑫存储正式宣布其成为了国内第一家也是唯一一家DRAM供应商。长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

目前长鑫存储国内唯一的竞争对手是清华紫光，它计划于2021年在重庆建成研发中心和DRAM晶圆厂，距离量产还要3-5年时间。

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DRAM为最常见的系统内存，在服务器、计算机、手机及其他消费电子领域具有广泛的应用，具有巨大的市场空间。2018年，我国DRAM行业市场规模达到3422.7亿元，增长率达到35.5%。随着5G时代的来临，存储的数据量将呈现指数级增长；同时，随着云计算、大数据、人工智能、物联网等新兴应用加速发展，未来市场对DRAM存储器的需求量仍将保持较大的增长势头。预计至2021年，中国DRAM市场规模将达到4505.70亿元。综合来看，DRAM面临良好的发展环境，整体市场前景广阔。

伴随内存接口芯片技术的不断演进，内存接口芯片的总价值量正在不断提升。内存模组需求随技术迭代增加，随着半导体制程推进，硬件与软件都在渴求更大的内存。经过多年的发展，内存从SDR系列到DDR系列，内存速度和容量都以指数增长，目前DDR4系列的商业化最为广泛，新一代DDR5正逐步进入市场。

在未来，DDR5规格也将到来，2018年10月，Cadence和镁光公布了自己的DDR5内存研发进度，两家厂商已经开始研发16GBDDR5产品，并计划在2019年底实现量产目标。DDR5的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电压降至1.1 V。与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际带宽提高36％，即使在3200 MT / s和4800 MT / s速度开始，与DDR4-3200相比，实际带宽将高出87％。与此同时，DDR5最重要的特性之一将是超过16 GB的单片芯片密度。

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